0,5A SOT23,TO236AB 250mW bipolar BRT Transistor: NPN 50V
ab 5,69 €
Gehäuse: TO236AB. Verlustleistung: 250mW. Gehäuse: SOT23. Transistor-Art: BRT. Transistor-Typ: NPN. Polarisierung: bipolar. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V. Kollektor-Emitter-Strom: 0.5A.
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Packungsgröße:20 Stk. / Verpackung
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Hersteller:NEXPERIA
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Transistor-Typ:NPN
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Polarisierung:bipolar
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Transistor-Art:BRT
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Kollektor-Emitter-Spannung:50V
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Kollektor-Emitter-Strom:0.5A
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Verlustleistung:250mW
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Gehäuse:TO236AB
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Transistorverstärkung:33
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Montage:SMD
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Verpackungs-Art:Rolle
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Basis-Widerstand:1kΩ
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Basis-Emitter-Widerstand:1kΩ
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Herstellernummer:PDTD113ET.215
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