2SK3878 N-Channel MOSFET 9A 900V TO3P TRANSISTOR
4,00 €
N-Channel MOSFET, 9 A, 900 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK3878. Silicon N Channel MOSFET. Transistor Material Si. Channel Type N. Maximum Power Dissipation 150 W. Height 19mm. Maximum Continuous Drain Current 9 A.
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Maximale Betriebstemperatur:40 °C
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Maximale Betriebsfrequenz:60 Hz
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Marke:Toshiba
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Transistor-Typ:2SK3878
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Montageart:Einzelmontage
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Produktart:N-Kanal Anreicherungs-MOSFET
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Anzahl der Elemente pro Chip:1
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Konfiguration:Isoliert
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Maximaler DC Kollektorstrom:9 A
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Maximale Basis-Emitter-Spannung:-3 V
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Maximale Kollektor-Basis-Spannung:9 V
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Gehäusegröße:TO-3P
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Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:-3 V
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Anzahl der Pins:3
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Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannung:-2 V
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Minimale Betriebstemperatur:-50 °C
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