AlGaN/GaN HEMTs Reliability. Degradation Modes and Analysis by Ivo, Ponky
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AlGaN/GaN HEMTs mit unterschiedlichen epitaktischen Designs und Prozessmodifikationen wurden auf ihre Zuverlässigkeit und Stabilität untersucht. HEMTs mit niedriger Aluminiumkonzentration in der AlGaN-Barriere zeigen ebenfalls eine höhere kritische Drain-Source-Spannung.
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