IXTA120P065T Transistor: P-MOSFET TrenchP™ unipolar -65V -120A 298W TO263 IXYS
19,67 €
Technologie: TrenchP™. Verlustleistung: 298W. Gehäuse: TO263. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: -65V. Drainstrom: -120A. Transistor-Typ: P-MOSFET. Kanal-Art: stark.
Jetzt bei Ebay: