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IXTA120P065T Transistor: P-MOSFET TrenchP™ unipolar -65V -120A 298W TO263 IXYS

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19,67 €

Technologie: TrenchP™. Verlustleistung: 298W. Gehäuse: TO263. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: -65V. Drainstrom: -120A. Transistor-Typ: P-MOSFET. Kanal-Art: stark.

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