IXTH76P10T Transistor: P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -76A 298W 70ns IXYS
18,96 €
Technologie: TrenchP™. Verlustleistung: 298W. Bereitschaftszeit: 70ns. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: -76A. Transistor-Typ: P-MOSFET. Drain-Source Spannung: -100V.
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