IXTP120P065T Transistor: P-MOSFET TrenchP™ unipolar -65V -120A 298W 53ns IXYS
18,86 €
Technologie: TrenchP™. Verlustleistung: 298W. Bereitschaftszeit: 53ns. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: -65V. Drainstrom: -120A. Transistor-Typ: P-MOSFET.
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