IXTP26P10T Transistor: P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -26A 150W 70ns IXYS
12,69 €
Technologie: TrenchP™. Bereitschaftszeit: 70ns. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: -26A. Transistor-Typ: P-MOSFET. Verlustleistung: 150W. Drain-Source Spannung: -100V.
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