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IXTY2N100P Transistor: N-MOSFET unipolar 1kV 2A 86W TO252 800ns IXYS

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10,86 €

Bereitschaftszeit: 800ns. Gehäuse: TO252. Verlustleistung: 86W. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 1kV. Transistor-Typ: N-MOSFET.

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