Die Inhalte dieser Webseite enthalten Affiliate-Links, für die wir möglicherweise eine Vergütung erhalten.
  • Bild 1

LND150K1-G Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 0,013A 360mW SOT23-3 MICROCHIP

Ø 0.0
0 Bewertungen
11,23 €

Verlustleistung: 360mW. Drainstrom im Impuls: 0.013A. Gehäuse: SOT23-3. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 500V. Transistor-Typ: N-MOSFET.

Jetzt bei Ebay: