LND150K1-G Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 0,013A 360mW SOT23-3 MICROCHIP
11,23 €
Verlustleistung: 360mW. Drainstrom im Impuls: 0.013A. Gehäuse: SOT23-3. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 500V. Transistor-Typ: N-MOSFET.
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