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MOSFET, N-CH, 600 V, 7A, DPAK, MOSFET-Transistoren, Menge 1 | SIHD7N60E-GE3

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MOSFET, N-CH, 600V, 7A, DPAK Transistor Polarity: N Channel Continuous Drain Current Id: 7A Drain Source Voltage Vds: 650V On Resistance Rds(on): 0.5ohm Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Threshold Voltage Vgs: 2V Power Dissipation Pd: 78W Transistor Case Style: TO-252 No. of Pins: 3Pins Operating Temperature Max: 150�C Product Range: E Series MSL: MSL 1 Unlimited 55�C 55�C to +150�C Voltage Vgs Max: 30V

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