R1: 10kΩ 0,1A BRT 200mW Transistor: NPN SOT23 50V bipolar
ab 10,16 €
Gehäuse: SOT23. Transistor-Art: BRT. Verlustleistung: 200mW. Transistor-Typ: NPN. Polarisierung: bipolar. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V. Kollektor-Emitter-Strom: 0.1A. Basis-Widerstand: 10kΩ.
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Packungsgröße:25 Stk. / Verpackung
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Hersteller:ROHM
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Transistor-Typ:NPN
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Polarisierung:bipolar
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Transistor-Art:BRT
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Kollektor-Emitter-Spannung:50V
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Kollektor-Emitter-Strom:0.1A
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Verlustleistung:200mW
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Gehäuse:SOT23
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Transistorverstärkung:30
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Montage:SMD
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Verpackungs-Art:Rolle
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Frequenz:250MHz
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Basis-Widerstand:10kΩ
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Basis-Emitter-Widerstand:10kΩ
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Herstellernummer:DTC114ECAT116
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