Transistor: N-MOSFET 100V 370W unipolar 130A IRFB4110PBF N-Kanal-Transistoren
ab 9,79 €
Verlustleistung: 370W. Kanal-Art: stark. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: 130A. Technische Daten. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drain-Source Spannung: 100V.
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Packungsgröße:1 Stk. / Verpackung
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Kanal-Art:stark
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Produktart:N-Kanal-Transistoren THT
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Verpackungs-Art:Tube
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Gate-Ladung:150nC
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Drainstrom:130A
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Herstellernummer:IRFB4110PBF
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Gate-Source Spannung:20V
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Marke:unbekannt
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Hersteller:INFINEON TECHNOLOGIES
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Verlustleistung:370W
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Montage:THT
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Drain-Source Spannung:100V
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Technologie:®
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Polarisierung:unipolar
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Widerst im Leitungszust:4.5mΩ
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