Transistor: N-MOSFET 2,1W unipolar 55V 3,8A SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Trans
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• Gehäuse: SOT223. • Kanal-Art: stark. • Polarisierung: unipolar. • Drain-Source Spannung: 55V. Technische Daten. • Transistor-Typ: N-MOSFET. • Drainstrom: 3.8A. • Verlustleistung: 2.1W.
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Herstellernummer:8350
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Marke:TNE
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EAN:4065444032594
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Produktart:Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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Hersteller:INFINEON TECHNOLOGIES
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Technologie:HEXFET®
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Polarisierung:unipolar
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Drain-Source Spannung:55V
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Drainstrom:3.8A
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Verlustleistung:2.1W
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Gehäuse:SOT223
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Montage:SMD
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Verpackungs-Art:Rolle
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Kanal-Art:stark
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Eigenschaften von Halbleiterelementen:logic level
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