Transistor: N-MOSFET 20,2A 600V unipolar 151W PG--3 IPP60R190P6XKSA1 N-Kanal-T
ab 12,24 €
Verlustleistung: 151W. Kanal-Art: stark. Polarisierung: unipolar. Technische Daten. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drain-Source Spannung: 600V. Drainstrom: 20.2A.
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Packungsgröße:1 Stk. / Verpackung
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Kanal-Art:stark
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Produktart:N-Kanal-Transistoren THT
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Verpackungs-Art:Tube
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Drainstrom:20.2A
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Herstellernummer:IPP60R190P6XKSA1
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Gate-Source Spannung:20V
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Marke:unbekannt
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Hersteller:INFINEON TECHNOLOGIES
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Verlustleistung:151W
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Montage:THT
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Drain-Source Spannung:600V
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Technologie:™ P6
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Polarisierung:unipolar
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Gehäuse:PG-TO220-3
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Widerst im Leitungszust:0.19Ω
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