Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 125W 3,9A IRFBC40LCPBF N-Kanal-Transistore
ab 6,39 €
Kanal-Art: stark. Polarisierung: unipolar. Verlustleistung: 125W. Technische Daten. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 3.9A. Drain-Source Spannung: 600V.
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Packungsgröße:1 Stk. / Verpackung
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Hersteller:VISHAY
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Montage:THT
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Verlustleistung:125W
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Gate-Ladung:39nC
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Polarisierung:unipolar
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Drainstrom:3.9A
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Kanal-Art:stark
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Drain-Source:Spannung:
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Verpackungs-Art:Tube
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Widerst:im
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Gate-Source:Spannung:
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