Transistor: N-MOSFET 8,6A 800V unipolar 84W PG--3 IPP80R360P7XKSA1 N-Kanal-Tra
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Kanal-Art: stark. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 800V. Verlustleistung: 84W. Technische Daten. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 8.6A. Gehäuse: PG--3.
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Packungsgröße:1 Stk. / Verpackung
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Kanal-Art:stark
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Produktart:N-Kanal-Transistoren THT
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Verpackungs-Art:Tube
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Eigenschaften von Halbleiterelementen:protected gate
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Gate-Ladung:30nC
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Drainstrom:8.6A
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Herstellernummer:IPP80R360P7
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Gate-Source Spannung:20V
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Marke:unbekannt
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Hersteller:INFINEON TECHNOLOGIES
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Verlustleistung:84W
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Montage:THT
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Drain-Source Spannung:800V
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Technologie:™ P7
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Polarisierung:unipolar
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Gehäuse:PG-TO220-3
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Widerst im Leitungszust:0.36Ω
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