Transistor: N-MOSFET unipolar 3,9A 45W 800V K IPU80R900P7AKMA1 N-Kanal-Transis
ab 10,26 €
Kanal-Art: stark. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 800V. Technische Daten. Transistor-Typ: N-MOSFET. Verlustleistung: 45W. Drainstrom: 3.9A. Gehäuse: K.
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Packungsgröße:1 Stk. / Verpackung
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Kanal-Art:stark
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Produktart:N-Kanal-Transistoren THT
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Verpackungs-Art:Tube
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Eigenschaften von Halbleiterelementen:protected gate
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Gate-Ladung:15nC
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Drainstrom:3.9A
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Herstellernummer:IPU80R900P7
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Gate-Source Spannung:20V
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Marke:unbekannt
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Hersteller:INFINEON TECHNOLOGIES
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Verlustleistung:45W
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Montage:THT
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Drain-Source Spannung:800V
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Technologie:™ P7
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Polarisierung:unipolar
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Gehäuse:K
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Widerst im Leitungszust:0.9Ω
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