Transistor: NPN 50V SOT23 0,1A BRT bipolar 246mW R1: 10kΩ MMUN2211LT1G NPN SMD
ab 15,78 €
Verlustleistung: 246mW. Basis-Widerstand: 10kΩ. Basis-Emitter-Widerstand: 10kΩ. Gehäuse: SOT23. Transistor-Art: BRT. Transistor-Typ: NPN. Polarisierung: bipolar.
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Packungsgröße:100 Stk. / Verpackung
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Transistor-Typ:NPN
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Produktart:NPN SMD-Transistoren
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Verpackungs-Art:Rolle
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Transistorverstärkung:35...60
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Basis-Widerst:10kΩ
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Herstellernummer:MMUN2211LT1G
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Marke:unbekannt
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Hersteller:ONSEMI
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Basis-Emitter-Widerst:10kΩ
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Kollektor-Emitter-Strom:0.1A
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Verlustleistung:246mW
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Transistor-Art:BRT
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Montage:SMD
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Polarisierung:bipolar
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Gehäuse:SOT23
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Kollektor-Emitter-Spannung:50V
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