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TRANSISTOR, NPN, SOT-23, bipolare Transistoren, Menge 5 | MMBT5551LT1G

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TRANSISTOR, NPN, SOT-23 Transistor Polarity: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V Power Dissipation Pd: 225mW DC Collector Current: 600mA DC Current Gain hFE: 80hFE Transistor Case Style: SOT-23 No. of Pins: 3Pins Operating Temperature Max: 150�C Product Range: MMBTxxxx Series Automotive Qualification Standard: AEC-Q101 MSL: MSL 1 Unlimited SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 150mV Current Ic Continuous a Max: 50mA Hfe Min: 80 55�C 55�C to +150�C Termination Type: Surface Mount Device

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  • Brand:
    ONSEMI
  • Type:
    Transistors
  • MPN:
    MMBT5551LT1G
  • Weight:
    90 gram
  • Form Factor:
    Single Bipolar Junction Transistors (BJT)
  • Model:
    MMBT5551LT1G
  • Manufacturer Part Number:
    MMBT5551LT1G
  • Manufacturer Name:
    ONSEMI
  • Country or region:
    Malaysia
  • Pack Size:
    5
  • Standardversand:
    Standard Int'l Postage 8,25 EUR - Lieferung zwischen 22. January 2025 und 27. January 2025 (bei heutigem Zahlungseingang)
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