Transistor: P-MOSFET -100V P™ -76A 298W unipolar TO263 IXTA76P10T P-Kanal-Tran
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• Verlustleistung: 298W •. • Gehäuse: TO263 •. • Kanal-Art: stark •. • Polarisierung: unipolar •. • Drainstrom: -76A •. Transistor: P-MOSFET; TrenchP™;. • Transistor-Typ: P-MOSFET •. • Drain-Source Spannung: -100V •.
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Hersteller:IXYS
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Transistor-Typ:P-MOSFET
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Technologie:P™
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Polarisierung:unipolar
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Drain-Source Spannung:-100V
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Drainstrom:-76A
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Verlustleistung:298W
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Gehäuse:TO263
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Gate-Source Spannung:±15V
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Widerst im Leitungszust:Ω
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Montage:SMD
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Gate-Ladung:197nC
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Verpackungs-Art:Tube
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Kanal-Art:stark
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Bereitschaftszeit:70ns
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Lieferumfang:1 Stk.
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Herstellernummer:7264
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EAN:4065444022212
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Marke:TNE
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Produktart:sontiges
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