Transistor: P-MOSFET 298W P™ unipolar -140A -50V 53ns IXTP140P05T
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• Bereitschaftszeit: 53ns •. • Verlustleistung: 298W •. • Polarisierung: unipolar •. • Drainstrom: -140A •. Transistor: P-MOSFET; TrenchP™;. • Transistor-Typ: P-MOSFET •. • Drain-Source Spannung: -50V •.
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Hersteller:IXYS
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Bereitschaftszeit:53ns
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Montage:THT
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Verlustleistung:298W
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Gate-Ladung:200nC
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Polarisierung:unipolar
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Technologie:TrenchP™
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Drainstrom:-140A
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Kanal-Art:stark
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Drain-Source Spannung:-50V
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Transistor-Typ:P-MOSFET
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Verpackungs-Art:Tube
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Gehäuse:TO220AB
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Widerstand im Leitungszustand:9mΩ
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Gate-Source Spannung:±15V
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Lieferumfang:1 Stk.
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Herstellernummer:7119
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EAN:4065444021338
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Marke:TNE
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Produktart:sontiges
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