unipolar 120V Idm: 75A 168W 25A EETMOS3 Transistor: N-MOSFET
ab 10,41 €
Technologie: EETMOS3. Polarisierung: unipolar. Verlustleistung: 168W. Technische Daten. Drainstrom im Impuls: 75A. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 25A. Drain-Source Spannung: 120V.
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Packungsgröße:1 Stk. / Verpackung
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Hersteller:SHINDENGEN
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Transistor-Typ:N-MOSFET
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Technologie:EETMOS3
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Polarisierung:unipolar
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Drain-Source:Spannung:
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Drainstrom:im
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Verlustleistung:168W
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Gehäuse:LF
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Gate-Source:Spannung:
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Widerstand:im
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Montage:SMD
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Gate-Ladung:48nC
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Verpackungs-Art:Rolle
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Kanal-Art:stark
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